بررسی نانوساختار های سیلیکان متخلخل بوسیله ی پراکندگی رامان

در این پژوهش تلاش شده است درباره ی تمامی اطلاعاتی که می توان از طیف رامان درباره ی سیلیکان متخلخل فهمیده شود، بحث شود. نمونه های سیلیکان متخلخل تحت چگالی جریان 20 میلی آمپر بر سانتیمتر مربع و مدت زمان های خوردگی 10، 20، 30، 40 و 50 دقیقه ساخته شدند. الکترولیت مورد استفاده محلول (hf: اتانول) = (1:1) بود. طیف رامان این نمونه ها نمایانگر مشخصات زیر در نمونه هاست: 1- افزایش شدت پیک رامان با افزایش میزان تخلخل 2- ریزش ساختار بین زمان های خوردگی 20 تا 30 دقیقه با توجه به کاهش شدت رامان در طیف رامان نمونه ی 30 دقیقه خورده شده، مشاهده می شود. 3- فاز سیلیکان آمورف در برخی از نمونه های ساخته شده مشاهده شد. وجود این فاز مربوط به شرایط نگهداری و ترکیبات موجود روی سطح نمونه است. 4- پیک رامان برای هر 5 نمونه کاملاً متقارن است. 5- مکان پیک های رامان دارای جابه جایی جزئی نسبت به مکان پیک سیلیکان بلوری به سمت طول موج های بیشتر است و در برخی از نمونه ها این جابه جایی مکان پیک دیده نمی شود. 6- تصاویر sem نشان می دهد که ساختار برخی از نمونه های سیلیکان متخلخل به صورت ورقه ای است و مکان پیک برای این نمونه ها تغییر نیافته است. این وضعیت به دلیل اینکه محدودیت فونونی در این حالت در یک بعد وجود دارد بوجود آمده است، زیرا در این حالت سهم فونون های محدود شده کمتر از فونون های بدون محدودیت است و موجب جابه جایی مکان پیک نمی شود. 7- اندازه گیری تخلخل نمونه ها به روش وزن سنجی نیز نشان دهنده ی افزایش تخلخل با افزایش زمان خوردگی و ریزش ساختار بعد بین زمان های 20 تا 30 دقیقه است.